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    vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
    
                      
    
                      vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um），波蘭VIGO公司是生產紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業公司，該公司生產的紅外探測器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號。VIGO紅外探測器符合ISO9000標準質量體系，被廣泛用于激光預警、紅外探測與監控、輻射測溫、激光跟蹤與定位、激光識別、計量和光通訊等的研究與開發。
                      
    
					    
    產品時間：2016-08-25
    
						  
    訪問量：2379
    
                      
    
                    
    
                  
    
                  
    
                    
    
                      
    產品介紹
    
		            
    
		
                    
    
                    
    vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
    TE制冷光電探測器
    1、PV-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）
    特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。
    描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件在2～11µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。vigo制冷型碲鎘汞HgCdTe光電探測器（0.5um-11um）
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PV-2TE-3
    PV-2TE-4
    PV-2TE-5
    PV-2TE-6
    PV-2TE-8
    PV-2TE-10.6
    *特性波長λop
    μm 
    3
    4
    5
    6
    8
    10.6
    探測率:
    at λpeak 
    at λop 
    cmHz1/2/W
     
    ≥8?1010 ≥5?1010
     
    ≥1.5?1010
    ≥1?1010
     
    ≥8?109
    ≥5?109
     
    ≥4?109  ≥2?109
     
    ≥8?108  ≥4?108
     
    ≥3?108
    ≥1?108
    響應度
    A/W 
    ≥1.2
    ≥1.3
    ≥1.3
    ≥1.2
    ≥1
    ≥0.7
    響應時間τ
    ns 
    ≤15**
    ≤20**
    ≤20**
    ≤10**
    ≤7**
    ≤3**
    并聯電阻-光學面積
    Ω·cm 2 
    ≥0.3
    ≥0.10
    ≥0.02
    ≥0.006
    ≥0.001
    ≥0.0001
    光學面積（長×寬）
    或直徑  (圓形)
    mm x mm
    mm
    0.025×0.025; 0.05×0.05; 0.1×0.1; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
    ø 0.025; ø 0.05; ø 0.1; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
    工作溫度
    K
    220-240 
    視場, F#
    deg
    60, 0.5 
    2、PVI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）
    特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。
    描述：PVI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件在2～11µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PVI-2TE-3
    PVI-2TE-4
    PVI-2TE-5
    PVI-2TE-6
    PVI-2TE-8
    PVI-2TE-10.6
    *特性波長λop
    μm 
    3
    4
    5
    6
    8
    10.6
    探測率:
    at λpeak 
    at λop 
    cmHz1/2/W
     
    ≥2?1011
    ≥1.5?1010
     
    ≥6?1010
    ≥4?1010
     
    ≥3?1010
    ≥2?1010
     
    ≥2?1010
    ≥1?1010
     
    ≥5?109
    ≥2?109
     
    ≥3?109
    ≥1?109
    響應度
    A/W 
    ≥1.2
    ≥1.3
    ≥1.3
    ≥1.2
    ≥1
    ≥0.7
    響應時間τ
    ns 
    ≤15**
    ≤20**
    ≤20**
    ≤10**
    ≤7**
    ≤3**
    并聯電阻-光學面積
    Ω·cm 2 
    ≥30
    ≥10
    ≥2
    ≥0.6
    ≥0.1
    ≥0.01
    光學面積（長×寬）
    或直徑  (圓形)
    mm x mm
    mm
    0.2×0.2; 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
    ø0.2; ø 0.25; ø 0.5; ø 1; ø 2; ø 3
    工作溫度
    K
    220-240 
    視場, F#
    deg
    35,1.65 
    3、PVM-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷）
    特點：高性能的在2-12μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。
    描述：PV-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。這些器件可以優化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PVM-2TE-8
    PVM-2TE-10.6-2       
    *特性波長λop
    µm
    8
    10.6
    探測率:
    at λpeak
    at λop
    cmHz1/2/W
    ≥6?108
    ≥3?108
    ≥2?108
    ≥1?108
    響應度 – at λop*
    V x mm /W
    ≥2
    ≥0.5
    響應時間τ
    ns
    ≤7
    ≤3
    電阻
    Ω
    40－300
    30－200
    光學面積（長×寬）
    mm x mm
    0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
    工作溫度*
    K
    220-240
    視場, F#*
    deg
    60, 0.5
    4、PVMI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、倍增結構、熱電制冷、光侵入式）
    特點：高性能的長波長范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；無閃動噪聲；使用方便；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計。
    描述：PVMI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些器件可以優化為更長波長,更大面積的更高性能器件。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PVMI-2TE-10.6
    *特性波長λop
    µm
    10.6
    探測率:
    at λpeak
    at λop 
    cmHz1/2/W
    ≥2?109
    ≥1?109
    響應度 – at λop 
    V·mm /W
    ≥7
    響應時間τ
    ns
    ≤3
    電阻* 
    Ω
    30-200
    光學面積 （長×寬 ）
    mm x mm
    0.1×0.1；0.25×0.25；0.5×0.5；1×1；2×2；
    工作溫度* 
    K
    220-240
    視場, F#* 
    deg
    35，1.65
    5、PC-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷）
    特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；使用方便；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計
    描述：PC-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設備在2～14µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┧南笙迒卧?、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PC-2TE-4   
    PC-2TE-5   
    PC-2TE-6   
    PC-2TE-9   
    PC-2TE-10.6   
    PC-2TE-12  
    *特性波長λop 
    µm
    4
    5
    6
    9
    10.6
    12
    探測率:
    at ?λpeak, 20kHz 
    at λop, 20kHz 
    cmHz1/2/W
    >4E10 >2E10
    >2E10  >1E10
    >6E9 
    >3E9
    >2E9 >8E8**
    >5E8
    >2.5E8**
    >4E8
    >1.5E8**
    響應度-atλop1x1 mm 
    V/W
    >1000
    >500
    >70
    >5
    >3
    >1
    響應時間τ
    ns
    <4000
    <2000
    <1000
    <20
    <10
    <2
    1/f噪聲拐點頻率
    kHz
    1-10
    1-10
    1-10
    1-10
    1-20
    1-20
    有效面積, (長 × 寬) 
    mm × mm
    0.05×0.05; 0.1×0.1;0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
    偏置電流-寬度比* 
    mA/mm
    1－2
    2－4
    4－8
    4－10
    5－15
    5－15
    薄層電阻系數
    Ω/sqr
    600-1500
    300-500
    200-400
    80-200
    50-150
    50-150
    視場, F#
    deg
    60, 0.5
    6、PCI-2TE（2-12μm紅外光電探測器、熱電制冷、光侵入式）
    特點：高性能在2-14μm范圍，無須LN（液氮）制冷；快速響應；使用方便；與快速元器件*兼容；動態范圍寬；小巧,耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計
    描述：PCI-2TE-n （n表示*特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或者過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設備在2～14µm范圍內的任意值可以優化為zui高性能。他們的高性能和穩定性可以通過zui近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
    詳細規格：
    特性（@ 20ºC）
    單位
    PCI-2TE-4   
    PCI-2TE-5   
    PCI-2TE-6   
    PCI-2TE-9   
    PCI-2TE-10.6   
    PCI-2TE-12  
    *特性波長λop 
    µm
    4
    5
    6
    9
    10.6
    12
    探測率:
    at λ? peak, 20kHz 
    at λop, 20kHz 
    cmHz1/2/W
    >1E11 >5E10
    >6E10
    >3E10
    >2E10 >1E10
    >9E9
    >4E9
    >5E9
    >2.5E9
    >4E9
    >1.5E9
    響應度- atλop1x1 mm
    Vmm/W
    >6000
    >3000
    >600
    >40
    >25
    >15
    響應時間τ
    ns
    <4000
    <2000
    <1000
    <20
    <10
    <2
    1/f噪聲拐點頻率
    kHz
    1-10
    1-10
    1-10
    1-10
    1-20
    1-20
    有效面積, (長×寬)
    mm×mm
    0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
    偏置電流-寬度比*
    mA/mm
    0.05－0.3 
    0.1－0.5 
    0.3－0.8 
    2－5
    5－20
    5－20 
    薄層電阻系數
    Ω/sqr
    600-1500 
    300-500 
    200-400 
    50-200 
    50-150
    50-150 
    視場, F#
    deg
    35, 1.65 
             
     
    
                    



    

    
	
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                請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7
            
      
		
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